派恩杰半導體成立于2018年9月，是中國第三代半導體功率器件領先品牌，主營車規級碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。公司擁有國內最全碳化硅功率器件產品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產品覆蓋各個電壓等級與載流能力，均通過AEC-Q101測試認證，可以滿足客戶的各種應用場景，提供穩定可靠的車規級碳化硅功率器件產品。
派恩杰半導體擁有深厚的技術底蘊和全面的產業鏈優勢，創始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設計和研發，師承IGBT發明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發布100余款不同型號的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續穩定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。
碳化硅二極管（SiC SBD）
SiC SBD（碳化硅肖特基二極管）的反向恢復電荷遠小于硅二極管同類產品，并且 SiC SBD可以運行在更高的結溫下。因此，SiC SBD在開關電源中能夠明顯地減少反向恢復損耗和開關噪聲，提高開關電源的轉換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優異的特性可以顯著降低電力電子系統的整體成本。
2.碳化硅場效應管（SiC MOSFET）
SiC MOSFET的出現和廣泛應用為功率半導體產業和電力電子產業帶來了一場影響深遠的技術革命。SiC MOSFET在導通電阻，開關損耗，高溫運行和導熱性上的優異特性極大地提升了電力電子系統的轉換效率和功率密度，并使得系統的整體成本降低。因此，在汽車應用，工業應用，通信電源和數據中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統的硅基功率器件。派恩杰半導體在650V，1200V，1700V多個電壓平臺均有量產的分立器件產品，且在不同載流能力和封裝形式上，產品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。
3.碳化硅模塊（SiC MODULE）
在大功率電力電子變換器應用中，功率模塊以其極高的集成度和良好的散熱性能，成為業界的主流的解決方案。相比于硅基半導體功率器件，碳化硅MOSFET在導通損耗，開關損耗，最高運行結溫和導熱性能上，具有明顯的優勢。因此，基于碳化硅MOSFET的功率模塊在近年來受到工業界的廣泛關注。碳化硅功率模塊在電動汽車上的成功應用，不但增加了電動汽車的續航里程，而且提高了電動汽車的整體可靠性。同時，碳化硅功率模塊在工業應用領域，如光伏，儲能，電力系統等，也有潛在的競爭力和應用價值。
碳化硅二極管（SiC SBD
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